WD4000晶圓表面厚度翹曲度測(cè)量系統(tǒng)通過非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測(cè)量大翹曲wafer、測(cè)量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。

測(cè)量功能

1、厚度測(cè)量模塊：厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；

2、顯微形貌測(cè)量模塊：粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、面積、體積等。

3、提供調(diào)整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能。其中調(diào)整位置包括圖像校平、鏡像等功能；糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能；濾波包括去除外形、標(biāo)準(zhǔn)濾波、過濾頻譜等功能；提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能。

4、提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結(jié)構(gòu)分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺(tái)階高、距離、角度、曲率等特征測(cè)量和直線度、圓度形位公差評(píng)定等；粗糙度分析包括國際標(biāo)準(zhǔn)ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數(shù)；結(jié)構(gòu)分析包括孔洞體積和波谷。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

1、非接觸厚度、三維維納形貌一體測(cè)量

集成厚度測(cè)量模組和三維形貌、粗糙度測(cè)量模組，使用一臺(tái)機(jī)器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三維形貌的測(cè)量。

2、高精度厚度測(cè)量技術(shù)

（1）采用高分辨率光譜共焦對(duì)射技術(shù)對(duì)Wafer進(jìn)行高效掃描。

（2）搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤，晶圓規(guī)格最大可支持至12寸。

（3）采用Mapping跟隨技術(shù)，可編程包含多點(diǎn)、線、面的自動(dòng)測(cè)量。

3、高精度三維形貌測(cè)量技術(shù)

（1）采用光學(xué)白光干涉技術(shù)、精密Z向掃描模塊和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；

（2）隔振設(shè)計(jì)降低地面振動(dòng)和空氣聲波振動(dòng)噪聲，獲得高測(cè)量重復(fù)性。

（3）機(jī)器視覺技術(shù)檢測(cè)圖像Mark點(diǎn)，虛擬夾具擺正樣品，可對(duì)多點(diǎn)形貌進(jìn)行自動(dòng)化連續(xù)測(cè)量。

4、大行程高速龍門結(jié)構(gòu)平臺(tái)

（1）大行程龍門結(jié)構(gòu)(400x400x75mm)，移動(dòng)速度500mm/s。

（2）高精度花崗巖基座和橫梁，整體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、可靠。

（3）關(guān)鍵運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)采用高精度直線導(dǎo)軌導(dǎo)引、AC伺服直驅(qū)電機(jī)驅(qū)動(dòng)，搭配分辨率0.1μm的光柵系統(tǒng)，保證設(shè)備的高精度、高效率。

5、操作簡(jiǎn)單、輕松無憂

（1）集成XYZ三個(gè)方向位移調(diào)整功能的操縱手柄，可快速完成載物臺(tái)平移、Z向聚焦等測(cè)量前準(zhǔn)工作。

（2）具備雙重防撞設(shè)計(jì)，避免誤操作導(dǎo)致的物鏡與待測(cè)物因碰撞而發(fā)生的損壞情況。

（3）具備電動(dòng)物鏡切換功能，讓觀察變得快速和簡(jiǎn)單。

WD4000晶圓表面厚度翹曲度測(cè)量系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、鈮酸鋰、藍(lán)寶石、硅、碳化硅、玻璃不同材質(zhì)晶圓的量測(cè)。廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測(cè)、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業(yè)。測(cè)各類包括從光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級(jí)別工件的厚度、粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等。

應(yīng)用場(chǎng)景

1、無圖晶圓厚度、翹曲度的測(cè)量

通過非接觸測(cè)量，將晶圓上下面的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV)，有效保護(hù)膜或圖案的晶片的完整性。

2、無圖晶圓粗糙度測(cè)量

Wafer減薄工序中粗磨和細(xì)磨后的硅片表面3D圖像，用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測(cè)量數(shù)值的穩(wěn)定性來反饋加工質(zhì)量。在生產(chǎn)車間強(qiáng)噪聲環(huán)境中測(cè)量的減薄硅片，細(xì)磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次測(cè)量數(shù)據(jù)計(jì)算重復(fù)性為0.046987nm，測(cè)量穩(wěn)定性良好。

重點(diǎn)參數(shù)

測(cè)量速度：最快15s

測(cè)量范圍：100μm~2000μm

測(cè)量精度：0.5um

重復(fù)性（σ）：0.2um

探頭分辨率：23nm

掃描方式：Fullmap 面掃、米字、 自由多點(diǎn)

測(cè)量參數(shù)：厚度、TTV(總體厚度變化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等

可測(cè)材料：砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、 鈮酸鋰、藍(lán)寶石、硅、碳化硅、氮化鎵、玻璃、外延材料等